Overview
方案总体说明
银烧结（Silver Sintering）是面向高功率密度半导体封装的先进低温冶金互连工艺，以纳米／微米级银颗粒的银膏或银膜为互连介质，在远低于银熔点（961℃）的 150～300℃ 温度区间，通过热激活银原子固态扩散，辅以压力或气氛调控，使银颗粒间形成烧结颈并逐步融合，最终在芯片与基板间生成致密银连接层，实现无钎料冶金级结合。
该工艺彻底规避传统锡基焊料的金属间化合物（IMC）老化与高温软化问题，具备「低温成型、高温服役」的核心特性，是 SiC/GaN 宽禁带功率器件规模化封装的核心支撑技术，广泛适配新能源汽车、风电变流、工业传动等领域的高压大功率电控产品制造。
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